STMicroelectronics 2STC2510

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

125W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

2STC

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率 - 最大

125W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

20MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

25A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 12A 4V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1.2A, 12A

转换频率

20MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅