STMicroelectronics 2STW1693

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Current-Collector (Ic) (Max)

6A

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

60W

基本部件号

2STW

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

60W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

20MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

6A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 2A 4V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 600mA, 6A

转换频率

20MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅