STMicroelectronics 2STW200

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.5V

Number of Elements

1

hFEMin

300

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

130W

基本部件号

2STW

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

130W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

25A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

500 @ 10A 3V

最大集极截止电流

500μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3.5V @ 80mA, 20A

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

1V

最大结点温度（Tj）

150°C

连续集电极电流

25A

高度

24.45mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅