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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥272.562676
10
¥257.134603
100
¥242.579819
500
¥228.848884
1000
¥215.895169
STMicroelectronics A1P50S65M2-F
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A1P50S65M2-F
2381-A1P50S65M2-F
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
--最小包装量--
¥
总价: ¥
A1P50S65M2-F详情
STMicroelectronics A1P50S65M2-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
Current-Collector (Ic) (Max)
50A
操作温度
-40°C~150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
配置
三相逆变器
功率 - 最大
208W
输入
Standard
最大集极截止电流
100μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 50A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
4.15nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
A1P50S65M2-F拓展信息
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