STMicroelectronics AM80912-085
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AM80912-085
2381-AM80912-085
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Description: L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, SO42, 2 PIN
1最小包装量--
AM80912-085详情
STMicroelectronics AM80912-085重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
250 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
BASE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
300 W
集电极电流-最大值(IC)
8 A
最小直流增益(hFE)
20
最高频段
L带
功率增益-最小值(Gp)
7.5 dB
AM80912-085拓展信息














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