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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.782719
500
¥0.575528
1000
¥0.47961
2000
¥0.440006
5000
¥0.41122
10000
¥0.382529
15000
¥0.36995
50000
¥0.363766
STMicroelectronics BD138
- 收藏
- 对比
BD138
2381-BD138
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-32
大陆
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STMICROELECTRONICS BD138 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 1.25 W, -1.5 A, 250 hFE
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BD138详情
STMicroelectronics BD138重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
包装/外壳
SOT-32
引脚数
3
质量
4.535924g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
1
hFEMin
25
包装
Bulk
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
1.25W
基本部件号
BD138
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
1.25W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
AMPLIFIER
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
1.5A
转换频率
75MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
最小直流增益(hFE)
25
高度
10.8mm
长度
7.8mm
宽度
2.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BD138拓展信息














哦! 它是空的。