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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.160358
10
¥3.924864
100
¥3.702703
500
¥3.493116
1000
¥3.295389
STMicroelectronics TIP35C
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- 对比
TIP35C
2381-TIP35C
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-247-3
大陆
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Trans GP BJT NPN 100V 25A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TIP35C详情
STMicroelectronics TIP35C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
9.071847g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8V
Number of Elements
1
hFEMin
10
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
100V
最大功率耗散
125W
额定电流
25A
频率
3MHz
基本部件号
TIP35
元素配置
Single
功率耗散
125W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
3MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
100V
最大集电极电流
25A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10 @ 15A 4V
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
4V @ 5A, 25A
转换频率
3MHz
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
VCEsat-最大值
4 V
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
TIP35C拓展信息














哦! 它是空的。