STMicroelectronics BD179

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

800mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

30W

基本部件号

BD179

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

30W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 2V 1A

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 100mA, 1A

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

VCEsat-最大值

0.8 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant