STMicroelectronics BD237
- 收藏
- 对比
BD237
2381-BD237
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-225AA, TO-126-3
大陆
立即发货

Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn, 80 V, 3 Mhz, 25 W, 2 A, 40 Rohs Compliant: Yes
--最小包装量--
BD237详情
STMicroelectronics BD237重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-225AA, TO-126-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
600mV
hFEMin
40
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
100V
最大功率耗散
25W
额定电流
2A
频率
3MHz
基本部件号
BD237
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
25W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
3MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
25 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 100mA, 1A
转换频率
3MHz
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
VCEsat-最大值
0.6 V
高度
10.8mm
长度
7.8mm
宽度
2.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BD237拓展信息















哦! 它是空的。