STMicroelectronics BDW84C

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-218-3, TO-218AC

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

-100V

最大功率耗散

130W

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

-15A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BDW84

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

功率 - 最大

130W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 6A 3V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 150mA, 15A

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

VCEsat-最大值

4 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅