STMicroelectronics BF259

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

25

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最大功率耗散

5W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

频率

90MHz

基本部件号

BF259

元素配置

Single

功率耗散

5W

增益带宽积

90MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 30mA 10V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 6mA, 30mA

转换频率

90MHz

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

6.6mm

长度

9.4mm

宽度

9.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅