STMicroelectronics BU508A

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

700V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

700V

最大功率耗散

125W

额定电流

8A

频率

7MHz

基本部件号

BU508

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

125W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

7MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

700V

最大集电极电流

8A

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 2A, 4.5A

转换频率

7MHz

发射极基极电压 (VEBO)

10V

最小直流增益（hFE）

6

VCEsat-最大值

1 V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅