STMicroelectronics BU808DFI

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOWATT-218-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

700V

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

700V

最大功率耗散

52W

额定电流

8A

基本部件号

BU808

引脚数量

3

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

52W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

700V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 5A 5V

最大集极截止电流

400μA

JEDEC-95代码

TO-218

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 500mA, 5A

集电极基极电压(VCBO)

1.4kV

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

8A

VCEsat-最大值

1.6 V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅