STMicroelectronics BU900TP

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

SOT-82

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

370V

Number of Elements

1

hFEMin

7000

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

55W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BU900

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

功率 - 最大

55W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Trilinton, Zener Clamp

集电极发射器电压(VCEO)

4V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

7000 @ 1A 5V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 3mA, 3A

发射极基极电压 (VEBO)

13V

RoHS状态

ROHS3 Compliant