STMicroelectronics BUF420M
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BUF420M
2381-BUF420M
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-204AA, TO-3
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Bipolar Transistors - BJT NPN High Volt Power
1最小包装量--
BUF420M详情
STMicroelectronics BUF420M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
Chassis Mount, Through Hole
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
引脚数
2
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
450V
Number of Elements
1
操作温度
200°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
通孔
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
450V
最大功率耗散
275W
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
30A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BUF420
引脚数量
2
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
275W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
450V
最大集电极电流
30A
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 4A, 20A
转换频率
0.1MHz
集电极基极电压(VCBO)
850V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
VCEsat-最大值
2 V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUF420M拓展信息















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