STMicroelectronics BUL1403ED

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Number of Elements

1

hFEMin

15

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

650V

最大功率耗散

80W

额定电流

3A

基本部件号

BUL140

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

80W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 400mA 3V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

1.4kV

发射极基极电压 (VEBO)

11V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅