STMicroelectronics BUL3N7

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Number of Elements

1

hFEMin

10

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

60W

基本部件号

BUL3N7

引脚数量

3

元素配置

Single

功率 - 最大

60W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

18 @ 700mA 5V

最大集极截止电流

100μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 1A

集电极基极电压(VCBO)

700V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅