STMicroelectronics BUL3P5
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BUL3P5
2381-BUL3P5
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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Bipolar Transistors - BJT MEDIUM Vltg PNP Pwr TRANSISTOR
1最小包装量--
BUL3P5详情
STMicroelectronics BUL3P5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Number of Elements
1
hFEMin
10
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
60W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BUL3P5
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率 - 最大
60W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
18 @ 700mA 5V
最大集极截止电流
100μA
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 1A
集电极基极电压(VCBO)
500V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUL3P5拓展信息














哦! 它是空的。