STMicroelectronics BUL416
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BUL416
2381-BUL416
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
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Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
--最小包装量--
BUL416详情
STMicroelectronics BUL416重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
底架
通孔
触点镀层
Tin
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
800V
hFEMin
10
Number of Elements
1
包装
Tube
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
1.6kV
最大功率耗散
110W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
6A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BUL416
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
110W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
800V
最大集电极电流
6A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
12 @ 700mA 5V
最大集极截止电流
250μA
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
3V @ 1.33A, 4A
集电极基极电压(VCBO)
1.6kV
发射极基极电压 (VEBO)
9V
VCEsat-最大值
3 V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
BUL416拓展信息














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