STMicroelectronics BUL49DFP

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

Number of Elements

1

hFEMin

10

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最大功率耗散

80W

基本部件号

BUL49

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

34W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

450V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

4 @ 7A 10V

最大集极截止电流

100μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 800mA, 4A

发射极基极电压 (VEBO)

10V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant