STMicroelectronics BUL810

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

10

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

450V

最大功率耗散

125W

额定电流

15A

基本部件号

BUL810

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

125W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

450V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 5A 5V

最大集极截止电流

250μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

5V @ 2.4A, 12A

集电极基极电压(VCBO)

1kV

发射极基极电压 (VEBO)

9V

VCEsat-最大值

5 V

高度

20.15mm

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅