STMicroelectronics BULB128-1
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BULB128-1
2381-BULB128-1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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TRANS NPN 400V 4A I2PAK
1最小包装量--
BULB128-1详情
STMicroelectronics BULB128-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Power Dissipation (Max)
70W
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BULB128
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
70W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
4A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
14 @ 2A 5V
最大集极截止电流
250μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 1A, 4A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BULB128-1拓展信息















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