STMicroelectronics BULK128D-B

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

SOT-82

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

55W

基本部件号

BULK128

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

55W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

8 @ 2A 5V

最大集极截止电流

250μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 2.5A

集电极基极电压(VCBO)

700V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant