STMicroelectronics BULT3P3
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BULT3P3
2381-BULT3P3
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-225AA, TO-126-3
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TRANS PNP 200V 3A SOT32
--最小包装量--
BULT3P3详情
STMicroelectronics BULT3P3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-225AA, TO-126-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
200V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
32W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BULT3
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率 - 最大
32W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
200V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
100μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 1A
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BULT3P3拓展信息















哦! 它是空的。