STMicroelectronics BUR51

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

200V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

200°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

300V

最大功率耗散

350W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

60A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BUR51

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

350W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

16MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

60A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 5A 4V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 5A, 50A

转换频率

16MHz

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

关断时间-最大值（toff)

2600ns

接通时间-最大值(ton)

1000ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅