STMicroelectronics BUT11A
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BUT11A
2381-BUT11A
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
--最小包装量--
BUT11A详情
STMicroelectronics BUT11A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
450V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Number of Elements
1
hFEMin
10
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
450V
最大功率耗散
83W
额定电流
5A
基本部件号
BUT11
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
83W
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
450V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 500mA, 2.5A
集电极基极电压(VCBO)
1kV
发射极基极电压 (VEBO)
9V
高度
9.15mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUT11A拓展信息














哦! 它是空的。