STMicroelectronics BUT90

底架

Chassis Mount, Through Hole

安装类型

底座安装

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

125V

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

125V

最大功率耗散

250W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

额定电流

50A

基本部件号

BUT90

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

元素配置

Single

功率耗散

250W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

125V

最大集电极电流

50A

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 7A, 70A

集电极基极电压(VCBO)

200V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

VCEsat-最大值

0.9 V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅