STMicroelectronics BUTW92

工厂交货时间

8 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

触点镀层

Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

9

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

800mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

250V

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

250V

最大功率耗散

180W

额定电流

15A

基本部件号

BUTW92

元素配置

Single

功率耗散

180W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

250V

最大集电极电流

45A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

9 @ 60A 3V

最大集极截止电流

50μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 15A, 60A

集电极基极电压(VCBO)

500V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

VCEsat-最大值

1 V

宽度

5.3mm

长度

15.9mm

高度

20.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅