STMicroelectronics BUV20

底架

Chassis Mount, Through Hole

安装类型

底座安装

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

引脚数

2

质量

907.18474mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

125V

Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

200°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

125V

最大功率耗散

250W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

额定电流

50A

基本部件号

BUV20

元素配置

Single

功率耗散

250mW

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

125V

最大集电极电流

50A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 25A 2V

最大集极截止电流

3mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 5A, 50A

转换频率

8MHz

频率转换

8MHz

集电极基极电压(VCBO)

160V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

高度

8.92mm

长度

39.3mm

宽度

26mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅