STMicroelectronics BUV27

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Number of Elements

1

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

120V

最大功率耗散

85W

额定电流

12A

基本部件号

BUV27

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

85W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

120V

最大集电极电流

12A

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 800mA, 8A

集电极基极电压(VCBO)

240V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

接通时间-最大值(ton)

800ns

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅