ESM3045DV
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STMicroelectronics ESM3045DV

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型号

ESM3045DV

utmel 编号

2381-ESM3045DV

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

ISOTOP

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN DARL 450V 24A ISOTOP

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ESM3045DV
ESM3045DV STMicroelectronics TRANS NPN DARL 450V 24A ISOTOP

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ESM3045DV详情

STMicroelectronics ESM3045DV重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    ISOTOP

  • 引脚数

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    450V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2V

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    120

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel (Ni)

  • 电压 - 额定直流

    450V

  • 最大功率耗散

    125W

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 额定电流

    24A

  • 基本部件号

    ESM3045

  • 引脚数量

    4

  • 极性

    NPN

  • 配置

    DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 晶体管类型

    NPN - Darlington

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    450V

  • 最大集电极电流

    24A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    120 @ 20A 5V

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    1.4V @ 1.2A, 20A

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    7V

  • VCEsat-最大值

    2 V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: STMicroelectronics ESM3045DV.

ESM3045DV拓展信息

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