STMicroelectronics ESM3045DV
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ESM3045DV
2381-ESM3045DV
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
ISOTOP
大陆
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TRANS NPN DARL 450V 24A ISOTOP
--最小包装量--
ESM3045DV详情
STMicroelectronics ESM3045DV重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
ISOTOP
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
450V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2V
Number of Elements
1
hFEMin
120
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel (Ni)
电压 - 额定直流
450V
最大功率耗散
125W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
额定电流
24A
基本部件号
ESM3045
引脚数量
4
极性
NPN
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
450V
最大集电极电流
24A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 20A 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.4V @ 1.2A, 20A
发射极基极电压 (VEBO)
7V
VCEsat-最大值
2 V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ESM3045DV拓展信息















哦! 它是空的。