STMicroelectronics ESM6045DV
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ESM6045DV
2381-ESM6045DV
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
ISOTOP
大陆
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TRANS NPN DARL 450V 84A ISOTOP
--最小包装量--
ESM6045DV详情
STMicroelectronics ESM6045DV重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Panel, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
ISOTOP
引脚数
4
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
450V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2V
Number of Elements
1
hFEMin
120
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
450V
最大功率耗散
250W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
额定电流
84A
基本部件号
ESM6045
引脚数量
4
上升时间-最大值
5500ns
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
250W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
450V
最大集电极电流
84A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 70A 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.35V @ 4A, 70A
发射极基极电压 (VEBO)
7V
VCEsat-最大值
2 V
最大下降时间 (tf)
500ns
高度
9.1mm
长度
38.2mm
宽度
25.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ESM6045DV拓展信息















哦! 它是空的。