STMicroelectronics IRF820

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

80W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH VOLTAGE

电压 - 额定直流

500V

额定电流

2.5A

基本部件号

IRF8

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

80W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

315pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

上升时间

13ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

4A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

3Ohm

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

雪崩能量等级（Eas）

210 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

50 pF

关断时间-最大值（toff)

245ns

接通时间-最大值(ton)

137ns

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅