STMicroelectronics IRFP350FI

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFP350FI

Turn-on Time-Max (ton)

190 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

STMicroelectronics

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

STMICROELECTRONICS

Turn-off Time-Max (toff)

275 ns

Risk Rank

5.3

Drain Current-Max (ID)

10 A

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-218

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10 A

漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

64 A

DS 击穿电压-最小值

400 V

雪崩能量等级（Eas）

435 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

70 W

反馈上限-最大值 (Crss)

200 pF

环境耗散-最大值

70 W