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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 LET9060
LET9060
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STMicroelectronics LET9060

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型号

LET9060

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-LET9060

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10

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LET9060
LET9060 STMicroelectronics IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10

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技术参数

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型号对比

STMicroelectronics LET9060重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

  • 引脚数

    3

  • Number of Elements

    1

  • Voltage Rated

    80V

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    165°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 最大功率耗散

    95W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    12A

  • 频率

    960MHz

  • 基本部件号

    LET9060

  • 引脚数量

    10

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G2

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 测试电流

    300mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 连续放电电流(ID)

    12A

  • 增益

    17.2dB

  • DS 击穿电压-最小值

    80V

  • 功率 - 输出

    60W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 电压-测试

    28V

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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公司资质

ISO13485
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