STMicroelectronics MJD112T4

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MJD112

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

20W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

NPN - Darlington

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 2A 3V

最大集极截止电流

20μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 40mA, 4A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100V

频率转换

25MHz

最大耗散功率(Abs)

20W

VCEsat-最大值

3 V

环境耗散-最大值

20W

RoHS状态

ROHS3 Compliant