STMicroelectronics MJD31C

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

15W

终端形式

鸥翼

额定电流

3A

基本部件号

MJD31

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

1.56W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 3A 4V

最大集极截止电流

50μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 375mA, 3A

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

VCEsat-最大值

1.2 V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅