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PD85004
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STMicroelectronics PD85004

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型号

PD85004

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-PD85004

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

TO-243AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF MOSFET Transistors RF PWR TRANSISTOR

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PD85004
PD85004 STMicroelectronics RF MOSFET Transistors RF PWR TRANSISTOR

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PD85004详情

技术参数

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型号对比

STMicroelectronics PD85004重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    11 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-243AA

  • 引脚数

    8

  • 质量

    130.492855mg

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 最大功率耗散

    6W

  • 终端形式

    FLAT

  • 额定电流

    2A

  • 频率

    870MHz

  • 基本部件号

    PD85004

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-F3

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    6W

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 测试电流

    50mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 连续放电电流(ID)

    2A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    15V

  • 最大输出功率

    5W

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    2A

  • 输入电容

    16pF

  • 功率 - 输出

    4W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 电压-测试

    13.6V

  • 功率增益

    17dB

  • 高度

    1.6mm

  • 长度

    4.6mm

  • 宽度

    2.6mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: STMicroelectronics PD85004.

右边的3个型号有着和STMicroelectronics & PD85004相似的参数规格。

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公司资质

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