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PD85015-E
PD85015-E

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STMicroelectronics PD85015-E

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型号

PD85015-E

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-PD85015-E

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FET RF 40V 870MHZ

起订量

1最小包装量--

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PD85015-E
PD85015-E STMicroelectronics FET RF 40V 870MHZ

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PD85015-E详情

技术参数

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型号对比

STMicroelectronics PD85015-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

  • 工厂交货时间

    25 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

  • 引脚数

    3

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    165°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 最大功率耗散

    59W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    5A

  • 频率

    870MHz

  • 基本部件号

    PD85015

  • 引脚数量

    10

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G2

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    59W

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 测试电流

    150mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 连续放电电流(ID)

    5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    15V

  • 增益

    16dB

  • 最大输出功率

    20W

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    5A

  • 漏源击穿电压

    40V

  • 功率 - 输出

    15W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 电压-测试

    13.6V

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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公司资质

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AS
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