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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SCTW35N65G2VAG
SCTW35N65G2VAG
SCTW35N65G2VAG

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STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG

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型号

SCTW35N65G2VAG

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-SCTW35N65G2VAG

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

起订量

1最小包装量--

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SCTW35N65G2VAG
SCTW35N65G2VAG STMicroelectronics AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

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SCTW35N65G2VAG详情

技术参数

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STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    45A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    18V 20V

  • Power Dissipation (Max)

    240W Tc

  • 操作温度

    -55°C~200°C TJ

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • Reach合规守则

    compliant

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    67m Ω @ 20A, 20V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1370pF @ 400V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    73nC @ 20V

  • 漏源电压 (Vdss)

    650V

  • Vgs（最大值）

    +22V, -10V

0个相似型号

技术文档: STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG.

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公司资质

ISO13485
AS
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DUNS
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