STMicroelectronics SCTW70N120G2V

安装类型

通孔

包装/外壳

HiP-247-3

供应商器件包装

HiP247™

Voltage-Input

100 ~ 240 VAC

Product Status

活跃

厂商

Autec 电力系统

Package

Case

Number of Elements per Chip

1

Package Type

HiP247

Channel Mode

Enhancement

Continuous Drain Current Id

91A

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1.2 kV

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4.9 V

Pd - Power Dissipation

547 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 10 V, + 22 V

Unit Weight

0.158733 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

600

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

STMicroelectronics

Brand

STMicroelectronics

Qg - Gate Charge

150 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

21 mOhms

RoHS

Details

Id - Continuous Drain Current

91 A

Base Product Number

SCTW70

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

91A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Power Dissipation (Max)

547W (Tc)

系列

DT024A (23.6W)

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

应用

ITE (Commercial)

功率(瓦特)

23.6 W

子类别

MOSFETs

技术

SiC

引脚数量

3

效率

六级

配置

Single

通道数量

1 Channel

最大输出电流

4A

功率耗散

547W

输入类型

IEC 320-C14

电压 - 输出

5.9V

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

30mOhm @ 50A, 18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.9V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3540 pF @ 800 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150 nC @ 18 V

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

+22V, -10V

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

表格

Desktop

输出连接器

Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D.

信道型

N

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET