STMicroelectronics SCTW90N65G2V

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

安装类型

通孔

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

390W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

90A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

操作温度

-55°C~200°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

基本部件号

SCTW90

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 50A, 18V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3300pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

157nC @ 18V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

+22V, -10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

110A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

220A

DS 击穿电压-最小值

650V

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant