STMicroelectronics SCTW90N65G2V
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SCTW90N65G2V
2381-SCTW90N65G2V
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
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SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
--最小包装量--
SCTW90N65G2V详情
STMicroelectronics SCTW90N65G2V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
表面安装
NO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
390W Tc
操作温度
-55°C~200°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
SINGLE
Reach合规守则
not_compliant
基本部件号
SCTW90
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 50A, 18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3300pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
157nC @ 18V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
+22V, -10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
110A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
220A
DS 击穿电压-最小值
650V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SCTW90N65G2V拓展信息
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