SCTW90N65G2V
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STMicroelectronics SCTW90N65G2V

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型号

SCTW90N65G2V

utmel 编号

2381-SCTW90N65G2V

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

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SCTW90N65G2V STMicroelectronics SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

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SCTW90N65G2V详情

STMicroelectronics SCTW90N65G2V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 表面安装

    NO

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    90A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    18V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    390W Tc

  • 操作温度

    -55°C~200°C TJ

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子位置

    SINGLE

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 基本部件号

    SCTW90

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    25m Ω @ 50A, 18V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3300pF @ 400V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    157nC @ 18V

  • 漏源电压 (Vdss)

    650V

  • Vgs(最大值)

    +22V, -10V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    110A

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    220A

  • DS 击穿电压-最小值

    650V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: STMicroelectronics SCTW90N65G2V.

SCTW90N65G2V拓展信息

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