STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4

包装/外壳

Axial

安装类型

通孔

供应商器件包装

Axial

Continuous Drain Current Id

91

Package

Bulk

Base Product Number

SCTWA70

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

91A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

厂商

STMicroelectronics

Power Dissipation (Max)

547W

Product Status

活跃

Number of Elements per Chip

1

Package Type

HiP247-4

Channel Mode

Enhancement

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

600

Manufacturer

STMicroelectronics

Brand

STMicroelectronics

RoHS

Details

操作温度

-55°C ~ 155°C

系列

RNF

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.108 Dia x 0.344 L (2.75mm x 8.75mm)

容差

±1%

零件状态

活跃

终止次数

2

温度系数

±50ppm/°C

电阻

3.57 kOhms

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.5W, 1/2W

子类别

MOSFETs

技术

MOSFET (Metal Oxide)

引脚数量

4

失败率

--

功率耗散

547

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

30mOhm @ 50A, 18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.9V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3540 pF @ 800 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150 nC @ 18 V

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

+22V, -10V

产品类别

MOSFET

信道型

N通道

场效应管特性

-

特征

Flame Retardant Coating, Safety

产品类别

MOSFET

座位高度(最大)

--