STMicroelectronics SGS50DB045D
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SGS50DB045D
2381-SGS50DB045D
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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大陆
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TRANSISTOR,BJT POWER MODULE,HALF BRIDGE,DARLINGTON,450V V(BR)CEO,50A I(C)
1最小包装量--
SGS50DB045D详情
STMicroelectronics SGS50DB045D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Package Description
,
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
ECCN 代码
EAR99
Reach合规守则
compliant
最大耗散功率(Abs)
375 W
集电极电流-最大值(IC)
50 A
最小直流增益(hFE)
10
VCEsat-最大值
3 V
最大下降时间 (tf)
700 ns
SGS50DB045D拓展信息














哦! 它是空的。