STMicroelectronics SGSD200

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V

Number of Elements

1

hFEMin

300

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

-100V

最大功率耗散

130W

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-25A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

SGSD200

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

25A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

500 @ 10A 3V

最大集极截止电流

500μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3.5V @ 80mA, 20A

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

3.3V

VCEsat-最大值

3.5 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅