STMicroelectronics ST2310DHI

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOWATT-218-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

hFEMin

5.5

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

55W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

12A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

ST2310

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

55W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

12A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5.5 @ 7A 5V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 1.75A, 7A

集电极基极电压(VCBO)

1.5kV

发射极基极电压 (VEBO)

7V

连续集电极电流

12A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅