STMicroelectronics ST631K

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Number of Elements

1

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

12.5W

基本部件号

ST631

引脚数量

3

元素配置

Single

功率 - 最大

12.5W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

120V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant