STMicroelectronics STB10N60M2

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

85W Tc

Turn Off Delay Time

32.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MDmesh™ II Plus

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

基本部件号

STB10N6

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

85W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

400pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13.5nC @ 10V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

13.2 ns

连续放电电流(ID)

7.5A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.6Ohm

漏源击穿电压

650V

高度

4.6mm

长度

10.4mm

宽度

9.35mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅