STMicroelectronics STB11NK50ZT4

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Turn Off Delay Time

41 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

520mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

500V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STB11N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

接通延迟时间

14.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

520m Ω @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1390pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

68nC @ 10V

上升时间

18ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

4.5A

阈值电压

3.75V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

双电源电压

500V

栅源电压

3.75 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅